Командой исследователей из Universidade Nova de Lisboa (Новый Университет Лиссабона) разработан способ использования бумаги в качестве компонента полевых (Field Effect) транзисторов. Короче говоря, ученые умудрились разместить транзисторы на обычной бумаге.

Причем во время тестирования исследователям удалось «изготовить устройства на обеих сторонах листа бумаги», что позволило бумаге работать одновременно «и в качестве основания, и в качестве изолятора».

Новая разработка, как предполагается, станет серьезным шагом в области создания тонких экранов на бумаге, электронных меток, а также при разработке новых классов устройств.

Плюс ко всему «бумажные транзисторы» еще и крайне дешевы в производстве.